تهیه و ارزیابی خواص نوری لایه نازک نانوکامپوزیت PVA/TiO2 با استفاده از روش الکتروریسی به عنوان نیمه هادی نوع منفی
نویسندگان
چکیده مقاله:
لایه‌های نازک نانوکامپوزیت PVA/TiO2 در نسبت‌های مختلف از نانوذرات TiO2 (20، 30، 40 و 50) به روش الکتروریسی تهیه شدند.گونه‌شناسی و ساختار نانوکامپوزیت‌ها با استفاده از طیف‌سنج پراش پرتو ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصل ساختار آناتاز نانوذرات TiO2 در ماتریس پلیمری PVA و پوشش موفقیت‌آمیز نانوذرات مذکور توسط مولکول‌های پلی‌وینیل الکل را نشان می‌دهد. همچنین فعالیت نوری وب‌ها نیز با دستگاه اندازه‌گیری طیف بازتاب پخشی (DRS) بررسی شد. نتایج نشان داد که لایه تهیه شده با حداکثر نسبت TiO2 (50:50)، بدلیل فاز بلوری، شکاف انرژی مطلوب (eV 31/3) و انتقال نوری بالا جهت استفاده در سلول خورشیدی به عنوان نیمه هادی نوع n مناسب می‌باشد.
منابع مشابه
عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء
لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل
متن کاملتهیه و مطالعه نانو ذرات مس (II)اکسید دوپه شده با قلع به عنوان نیمه هادی
در این مطالعه اثر قلع دوپه شده بر روی ساختار و مشخصات نوری نانوذارت مس (2) که به روش هیدروترمال در شرایط ملایم بدون نیاز به تنظیم pH و سورفکتانت ارائه شده است. ساختار و خواص نوری نانوذرات مس اکسید و مس اکسید دوپه شده با قلع توسط فنون طیف سنجی پراش اشعه ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ، مادون قرمز(IR) و فوتولومینسانس (PL) مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. آنالیز اشعه ایکس نشان ده...
متن کاملتهیه فیلم‌های نازک (نازک لایه) از ترکیبات آلی با استفاده از لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت
فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...
متن کامللایهنشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل
اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه نشانی به روش سل – ژل، پوشش های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...
متن کاملمقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 6 شماره 19
صفحات 213- 219
تاریخ انتشار 2014-11-22
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023